分享热点新闻
打造优质自媒体!

三星:3 纳米 GAA 制程研发进度领先台积电 将尽早实现商业化

  8 月 26 日消息 据韩媒 BusinessKorea 报道,三星电子设备解决方案(DS)业务部首席技术官 Jeong Eun-seung 宣布,作为下一代代工微制造工艺的核心,全环绕栅极(Gate-All-Around,GAA)技术将尽早实现商业化。

三星:3 纳米 GAA 制程研发进度领先台积电 将尽早实现商业化 科学快报 第1张

  Jeong 在 8 月 25 日在线举行的三星技术与职业论坛上发表主题演讲时说:“我们正在领先于我们的主要竞争对手(台积电)开发 GAA 技术,如果我们攻克这项技术,我们的代工业务将能够进一步发展。”该论坛是由三星电子的 DS 业务部创建的,旨在吸引全球工程师。

  GAA 被认为是 3 纳米工艺的一个关键部分,在不久的将来将被全球顶级代工企业采用。其关键是将在半导体内部充当“电流开关”的晶体管的结构从 3D(FinFET)改为 4D(GAA)。据三星电子称,2019 年其与客户进行的 3 纳米 GAA 工艺设计套件测试显示,GAA 技术将芯片面积削减了 45%,并将电源效率提升了 50%。

三星:3 纳米 GAA 制程研发进度领先台积电 将尽早实现商业化 科学快报 第2张

  业内分析人士表示,谁会首先将 GAA 技术商业化还是未知数,这是因为台积电也在积极地将该技术提前实现商业化。2011 年至 2020 年间,全球 GAA 专利的 31.4% 来自台积电,三星电子的专利占 20.6%。

  三星电子表示,其在技术方面与台积电的竞争不相上下,Jeong 说,“三星在 2017 年开始了代工业务,但我们将凭借在内存半导体方面的专有技术超越台积电,”他举例说,三星电子比台积电更早开发了装载 FinFET 技术的 14MHz 产品。

*** 次数:20100 已用完,请联系开发者***