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群联发布的PS5018-E18 SSD主控:12纳米工艺 支持176层闪存颗粒

5月26日,群联电子(群联)昨天正式推出全新NVMe SSD主芯片,型号为PS5018-E18。该芯片采用PCIe 4.0 4通道,读写性能超过7000 MB/s,而且该芯片采用台积电12nm工艺技术,相比市表面的其他主控制器可以有效减少发热。

群联发布的PS5018-E18 SSD主控:12纳米工艺 支持176层闪存颗粒 科学快报 第1张

群联有三个ARM Cortex R5内核和双CoX处理器,用于数据传输和地址转换。主控支持第四代LDPC纠错引擎,并与NVMe 1.4协议规范兼容。

群联发布的PS5018-E18 SSD主控:12纳米工艺 支持176层闪存颗粒 科学快报 第2张

在速度上,E18主控的性能比之前推出的E16主控有了显著提升,顺序读取超过7400MB/s,顺序写入超过7000 MB/s,主控芯片兼容176层NAND闪存颗粒,对于相比市表面的96层颗粒随机读写性能提升35%,可达100 万IOPS。

群联发布的PS5018-E18 SSD主控:12纳米工艺 支持176层闪存颗粒 科学快报 第3张

群联发布的PS5018-E18 SSD主控:12纳米工艺 支持176层闪存颗粒 科学快报 第4张

群联,是一个主控芯片,有8个通道和32CE,与DDR4高速缓存兼容,支持最大8TB的容量。官员们表示,这些产品将在中国台北,举行的2021年国际电脑展上展出