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十铨成功开发超频DDR5内存:支持电压2.6V以上 超频空间更大

据十铨,官方消息,在完成标准DDR5 U-DIMM和SO-DIMM的验证并与板厂合作后,十铨科技今天宣布了新的突破:其T-FORCE品牌成功打造DDR 5超频内存。并送样至华硕, 华擎, 微星, 技嘉等四大板厂相关部门进行超频能力测试合作。

十铨成功开发超频DDR5内存:支持电压2.6V以上 超频空间更大 科学快报 第1张

据了解,DDR5超频升级PMIC(电源管理IC)后,电压调整空间更大。经过开发阶段的超频,这款PMIC可以提供2.6V以上的电压,增加内存高频驱动能力。在DDR5之前的一代中,电压转换由主板控制,进入DDR5后,组件移动到内存本身,电压转换由内存处理,既减少了电压损耗,又减少了噪声产生,因此超频空间可以比过去大大提高,带来更强大的计算能力。

根据十铨技术,T-FORCE将继承DDR4时期强大的品牌技术力量,继续探索DDR5的超频方式,创造超越上一代内存的性能,提高应用运行的可靠性。