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三星展示3纳米超大规模集成电路芯片:制造具有纳米芯片结构的晶体管

3月13日消息:三星电子和台积电正计划开发3纳米工艺技术。据国外媒体报道,在三星,举行的IEEE国际固态电路会议(ISSCC)上,来自三星的工程师分享了即将推出的3毫米GAE MBCFET芯片的制造细节。

三星展示3纳米超大规模集成电路芯片:制造具有纳米芯片结构的晶体管 科学快报 第1张

GAAFET晶体管(栅极全环场效应晶体管)在结构上有两种形式,是目前FinFET的升级版。三星说,传统的GAAFET工艺是用三层纳米线构成晶体管,栅极比较薄;虽然三星的mbcfet技术使用纳米芯片来制造晶体管,但三星已经为MBCFET注册了商标。三星说,两种方法都可以达到3纳米,但这取决于具体的设计。

三星展示3纳米超大规模集成电路芯片:制造具有纳米芯片结构的晶体管 科学快报 第2张

砷化镓场效应晶体管的第一个想法早在1988年就提出了。该技术允许设计人员通过调整晶体管沟道宽度来精确控制性能和功耗。宽材料便于在大功率下获得更高的性能;薄材料可以降低功耗,但性能受到影响。

三星展示3纳米超大规模集成电路芯片:制造具有纳米芯片结构的晶体管 科学快报 第3张

三星展示3纳米超大规模集成电路芯片:制造具有纳米芯片结构的晶体管 科学快报 第4张

据了解,三星在2019年展示了3GAE技术的原理。三星说,与7LPP技术相比,3GAE可以实现30%的性能提升、50%的功耗降低和80%的晶体管密度增加。