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台积电3纳米工艺进展领先于EUV工艺突破:直接到1纳米

在ISSCC 2021国际固态电路会议上,台积电,联合首席执行官刘德音,宣布了该公司的最新工艺进展,指出3纳米工艺超出预期,并将取得进展。

然而,刘德音没有宣布3纳米工艺是如何推进的。根据他们公布的信息,3nm工艺是今年下半年试产,2022年正式量产。

不同于三星在3纳米节点积极选择围绕栅晶体管的砷化镓,台积电第一代3纳米工艺是保守的,仍然使用场效应晶体管。

与5纳米工艺相比,台积电3nm工艺的晶体管密度提升70%,速度提升11%,或者功耗降低27%。

台积电3纳米工艺进展领先于EUV工艺突破:直接到1纳米 科学快报 第1张

无论是5纳米还是3纳米工艺,甚至是未来的2纳米工艺,台积电表示,EUV 光刻机越来越重要,但产能对EUV 光刻,来说仍然是个难题,能耗也很高。

刘德音提到台积电已经EUV光源技术获得突破,功率可达350W,不仅能支持5nm工艺,甚至未来可以用于1nm工艺。

根据台积电,提出的路线图,他们认为半导体技术将继续遵守摩尔定律,新一代技术将在两年内升级,而十年内将有一次重大的技术升级。

台积电3纳米工艺进展领先于EUV工艺突破:直接到1纳米 科学快报 第2张