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采用双栈技术 三星第七代V与非门闪存可达有176�

据韩媒,称,三星在开发下一代闪存芯片方面取得了很大进展。第七代V与非门闪存芯片将达到176层,并将于明年4月大规模生产。这将是业界第一个160层以上的高级NAND 闪存芯片,因此三星将再次扩大与竞争对手的技术差距,并保持其自2002年以来在全球NAND 闪存市场的第一位。

采用双栈技术 三星第七代V与非门闪存可达有176� 科学快报 第1张

flickr中的图像

与上一代闪存,相比,第七代闪存在堆栈上取得了明显的进步。三星第六代NAND 闪存有128层,今年6月开始量产,而第七代闪存将达到176层。虽然还没有达到原定的192层计划,但还是有明显的进步。

据报道,第七代与非门闪存采用“双堆叠”技术,这是一种可以将通孔分成两部分以便电流可以通过电路的方法。以前单个叠层只有一部分通孔,随着叠层层数的增加,工艺得到改善。

今年6月,三星宣布将投资约9万亿韩元,在韩国,京畿道平泽工厂的2号线建设一个新的与非门闪存芯片生产设施,以扩大与非门闪存生产线,预计该设施将于2021年下半年投入运行。三星表示,尖端的与非门存储芯片将在新的地点大规模生产,第七代与非门闪存芯片可能比原计划更早大规模生产。

与ARAM相比,与非门闪存是更具代表性的存储芯片,其存储容量随着郑,的堆叠数量而增加,因此堆叠数量也被视为与非门闪存的核心竞争力

三星一直在通过减小集成电路的线宽来提高存储芯片的性能和容量,引领着先进的闪存与非门的发展

自2006年以来,三星一直在研究3D NAND 闪存在存储芯片的开发过程中,随着存储数据的单元变小,当线宽小于10纳米时,很容易受到单元的干扰,3D NAND 闪存可以垂直放置在平面排列的单元中,以减少单元之间的干扰。这是一种通过垂直堆叠公寓等现有平面与非门结构来增加存储容量的方法,业界称为3D与非门闪存,由三星独立命名为V与非门

2013年,三星成功批量生产了世界上第一个具有三维细胞结构的Vnand 闪存,从而改变了技术范式。当时,许多人怀疑Vnand 闪存,的商业化,但现在所有的存储芯片公司都在为3D NAND 闪存进行激烈的竞争。存储在长江的128层3D NAND 闪存已于今年宣布量产,英特尔也于今年发布了144层3D NAND 闪存。SK 海力士目前正处于176 4D与非门的研究阶段,西方数字和铠侠等其他公司也在竞争。

第一代(24层)V NAND商业化后,闪存, 三星不断增加堆叠层数,现在已经发展到第二代(32层)、第三代(48层)、第四代(64/72层)、第五代(92/96层)、第六代(128层)。新一代一般需要一到两年。

去年8月,三星完成了128层V NAND 闪存的开发,实现了量产。当时,三星宣布已向全球PC公司提供基于第六代NAND 闪存的企业PC固态硬盘(SSD)。

在与非门闪存市场,三星一直处于行业领先地位。去年,三星占全球市场的35.9%,销售额为165.17亿美元,在与非闪存市场排名第一,并自2002年以来保持领先地位。

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